| dc.contributor.author | Сычик, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Уласюк, Н. Н. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-01-14T07:23:25Z | |
| dc.date.available | 2026-01-14T07:23:25Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Сычик, В. А. Полупроводниковый термоэлектрический холодильник = Semiconductor thermoelectric refrigerator / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 97-99. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/162755 | |
| dc.description.abstract | Многослойный термоэлектрический холодильник структурно содержит термоэлектрический преобразователь с омическими контактами и внешними электрическими выводами. Термоэлектрический преобразователь реализован на основе широкозонных полупроводников и включает последовательно соединение n-p-гомопереход, вариозный слой, изотопный p-p+ – гетеропереход, сильно легированные n+ и p+ слои, при этом толщина областей n-p – гомоперехода составляет (0,5–0,9) Ld, толщина вариозного слоя равна (0,3-0,5) Ld, а толщина изотопного гетероперехода составляет (0,4–0,7) Ld, где Ld – диффузионная длина пробега электронов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Полупроводниковый термоэлектрический холодильник | ru |
| dc.title.alternative | Semiconductor thermoelectric refrigerator | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The multilayer thermoelectric refrigerator structurally comprises a thermoelectric converter with ohmic contacts and external electrical terminals. The thermoelectric converter is implemented based on wide-bandgap semiconductors and includes a series-connected n-p homojunction, a variozed layer, an isotopic p-p+ heterojunction, and heavily doped n+ and p+ layers. The thickness of the n-p homojunction regions is (0.5–0.9)Ld, the thickness of the variozed layer is (0.3–0.5)Ld, and the thickness of the isotopic heterojunction is (0.4–0.7)Ld, where Ld is the electron diffusion mean free path. | ru |
