Мультипараметрические сенсоры на основе транзисторных структур
Another Title
Transistor structures-based multi -parametric sensors
Bibliographic entry
Мультипараметрические сенсоры на основе транзисторных структур = Transistor structures-based multi -parametric sensors / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, К. В. Пантелеев // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 93-95.
Abstract
Одним из способов решения задач оптической диагностики является использование фотоэлектрических сенсоров на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью, слабо легированных глубокими примесями, формирующими несколько уровней с разными зарядовыми состояниями. Рассмотрены особенности структур транзисторных мультипараметрических сенсоров. Транзисторные структуры расширяют возможности резистивных и однобарьарных мультипараметрических сенсоров.
Abstract in another language
One of the ways to solve tasks of optical diagnostics is to use photovoltaic converters based on semiconductors with intrinsic photoconductivity slightly doped with deep impurities, which form several energy levels with different charge states. Pecularities of transistor-based multi-parametric sensors’ structures are discussed with respect to this. It is found that transistor structures widen capabilities of resistive and single-junction multi-parametric sensors.