Мультипараметрические сенсоры на основе транзисторных структур
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Transistor structures-based multi -parametric sensors
Abstract
Одним из способов решения задач оптической диагностики является использование фотоэлектрических сенсоров на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью, слабо легированных глубокими примесями, формирующими несколько уровней с разными зарядовыми состояниями. Рассмотрены особенности структур транзисторных мультипараметрических сенсоров. Транзисторные структуры расширяют возможности резистивных и однобарьарных мультипараметрических сенсоров.
item.page.description-other
One of the ways to solve tasks of optical diagnostics is to use photovoltaic converters based on semiconductors with intrinsic photoconductivity slightly doped with deep impurities, which form several energy levels with different charge states. Pecularities of transistor-based multi-parametric sensors’ structures are discussed with respect to this. It is found that transistor structures widen capabilities of resistive and single-junction multi-parametric sensors.
Description
Citation
Мультипараметрические сенсоры на основе транзисторных структур = Transistor structures-based multi -parametric sensors / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, К. В. Пантелеев // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 93-95.