| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Пантелеев, К. В. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-01-14T07:23:25Z | |
| dc.date.available | 2026-01-14T07:23:25Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Мультипараметрические сенсоры на основе транзисторных структур = Transistor structures-based multi -parametric sensors / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, К. В. Пантелеев // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 93-95. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/162753 | |
| dc.description.abstract | Одним из способов решения задач оптической диагностики является использование фотоэлектрических сенсоров на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью, слабо легированных глубокими примесями, формирующими несколько уровней с разными зарядовыми состояниями. Рассмотрены особенности структур транзисторных мультипараметрических сенсоров. Транзисторные структуры расширяют возможности резистивных и однобарьарных мультипараметрических сенсоров. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Мультипараметрические сенсоры на основе транзисторных структур | ru |
| dc.title.alternative | Transistor structures-based multi -parametric sensors | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | One of the ways to solve tasks of optical diagnostics is to use photovoltaic converters based on semiconductors with intrinsic photoconductivity slightly doped with deep impurities, which form several energy levels with different charge states. Pecularities of transistor-based multi-parametric sensors’ structures are discussed with respect to this. It is found that transistor structures widen capabilities of resistive and single-junction multi-parametric sensors. | ru |
