Модификация поверхности пластин кремния в результате обработки в DC плазме водорода
Another Title
Surface modification of silicon wafers by hydrogen DC plasma treatment
Bibliographic entry
Францкевич, А. В. Модификация поверхности пластин кремния в результате обработки в DC плазме водорода = Surface modification of silicon wafers by hydrogen DC plasma treatment / А. В. Францкевич, Н. В. Францкевич, В. А. Мартинович // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 367-369.
Abstract
Пластины монокристаллического p-типа 10 𝛀cm Cz-Si обрабатывались в DC плазме водорода при разности потенциалов 1, 2,5 и 5 кэВ. Температура во время обработки составляла 250 и 400 °С. Длительность обработки 60 и 120 минут. В результате проведенных обработок в приповерхностном слое кремния формируется дефектный слой, испытывающий сжимающие напряжения. В зависимости от условий плазменной обработки в данном слое возможно накопление молекулярного водорода.
Abstract in another language
Wafers of single-crystal p-type 10 𝛀cm cm Cz-Si were treatment in DC hydrogen plasma at potential differences of 1, 2.5 and 5 keV. The temperature during processing was 250 and 400 °C. The duration of processing was 60 and 120 minutes. As a result of the processing, a defective layer is formed in the near-surface silicon layer, which experiences compressive stresses. Depending on the plasma processing conditions, molecular hydrogen may accumulate in this layer.