| dc.contributor.author | Францкевич, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Францкевич, Н. В. | ru |
| dc.contributor.author | Мартинович, В. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-01-14T07:22:58Z | |
| dc.date.available | 2026-01-14T07:22:58Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Францкевич, А. В. Модификация поверхности пластин кремния в результате обработки в DC плазме водорода = Surface modification of silicon wafers by hydrogen DC plasma treatment / А. В. Францкевич, Н. В. Францкевич, В. А. Мартинович // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 367-369. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/162665 | |
| dc.description.abstract | Пластины монокристаллического p-типа 10 𝛀cm Cz-Si обрабатывались в DC плазме водорода при разности потенциалов 1, 2,5 и 5 кэВ. Температура во время обработки составляла 250 и 400 °С. Длительность обработки 60 и 120 минут. В результате проведенных обработок в приповерхностном слое кремния формируется дефектный слой, испытывающий сжимающие напряжения. В зависимости от условий плазменной обработки в данном слое возможно накопление молекулярного водорода. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Модификация поверхности пластин кремния в результате обработки в DC плазме водорода | ru |
| dc.title.alternative | Surface modification of silicon wafers by hydrogen DC plasma treatment | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Wafers of single-crystal p-type 10 𝛀cm cm Cz-Si were treatment in DC hydrogen plasma at potential differences of 1, 2.5 and 5 keV. The temperature during processing was 250 and 400 °C. The duration of processing was 60 and 120 minutes. As a result of the processing, a defective layer is formed in the near-surface silicon layer, which experiences compressive stresses. Depending on the plasma processing conditions, molecular hydrogen may accumulate in this layer. | ru |
