Моделирование электрических характеристик субмикронного кремниевого лавинного фотодиода
Another Title
Simulation of electrical characteristics of a submicron silicon avalanche photodiode
Bibliographic entry
Борздов, А. В. Моделирование электрических характеристик субмикронного кремниевого лавинного фотодиода = Simulation of electrical characteristics of a submicron silicon avalanche photodiode / А. В. Борздов, В. М. Борздов, Д. Н. Буйновский // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 310-312.
Abstract
С помощью многочастичного метода Монте-Карло проведено моделирование тока в кремниевом лавинном фотодиоде со структурой p+–i–p–n+, работающем в режиме обратного смещения при воздействии пикосекундных импульсов лазерного излучения с длиной волны 650 нм. Рассмотрены диодные структуры с различной толщиной и различными уровнями легирования рабочих областей.
Abstract in another language
Using the ensemble Monte Carlo method, we simulated the current in a silicon avalanche photodiode with a p+–i–p–n+ structure operating in reverse-bias mode under the influence of picosecond pulses of laser radiation with a wavelength of 650 nm. Diode structures with different thicknesses and doping levels of the device's operating regions were considered.