| dc.contributor.author | Борздов, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | ru |
| dc.contributor.author | Буйновский, Д. Н. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-01-14T07:22:47Z | |
| dc.date.available | 2026-01-14T07:22:47Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Борздов, А. В. Моделирование электрических характеристик субмикронного кремниевого лавинного фотодиода = Simulation of electrical characteristics of a submicron silicon avalanche photodiode / А. В. Борздов, В. М. Борздов, Д. Н. Буйновский // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 310-312. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/162631 | |
| dc.description.abstract | С помощью многочастичного метода Монте-Карло проведено моделирование тока в кремниевом лавинном фотодиоде со структурой p+–i–p–n+, работающем в режиме обратного смещения при воздействии пикосекундных импульсов лазерного излучения с длиной волны 650 нм. Рассмотрены диодные структуры с различной толщиной и различными уровнями легирования рабочих областей. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Моделирование электрических характеристик субмикронного кремниевого лавинного фотодиода | ru |
| dc.title.alternative | Simulation of electrical characteristics of a submicron silicon avalanche photodiode | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Using the ensemble Monte Carlo method, we simulated the current in a silicon avalanche photodiode with a p+–i–p–n+ structure operating in reverse-bias mode under the influence of picosecond pulses of laser radiation with a wavelength of 650 nm. Diode structures with different thicknesses and doping levels of the device's operating regions were considered. | ru |
