Смирнов, В. В. Электрические свойства структур на основе GaAs, используемых для создания полевых транзисторов с затвором Шоттки / В. В. Смирнов, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 18-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 23-25 апреля 2025 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: А. М. Маляревич (пред. редкол.), О. К. Гусев, А. И. Свистун [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 56.