Электрические свойства структур на основе GaAs, используемых для создания полевых транзисторов с затвором Шоттки
| dc.contributor.author | Смирнов, В. В. | ru |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2025-10-08T11:28:54Z | |
| dc.date.available | 2025-10-08T11:28:54Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Смирнов, В. В. Электрические свойства структур на основе GaAs, используемых для создания полевых транзисторов с затвором Шоттки / В. В. Смирнов, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 18-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 23-25 апреля 2025 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: А. М. Маляревич (пред. редкол.), О. К. Гусев, А. И. Свистун [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 56. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/158873 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Электрические свойства структур на основе GaAs, используемых для создания полевых транзисторов с затвором Шоттки | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
