Исследование структуры полупроводниковой фазы силицида титана
Another Title
Study of the structure of the semiconductor phase of titanium silicide
Bibliographic entry
Анисович, А. Г. Исследование структуры полупроводниковой фазы силицида титана = Study of the structure of the semiconductor phase of titanium silicide / А. Г. Анисович, М. И. Маркевич, Е. Н. Щербакова // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 388-389.
Abstract
Представлены результаты исследования структуры и фазового состава пленок силицидов титана. Установлено, что быстрая термическая обработка (Т = 580–620°С, время 30 с) с использованием галогенных ламп позволяет сформировать слой дисилицида титана в модификации С49.
Abstract in another language
The results of the study of the structure and phase composition of titanium silicide films are presented. It has been established that rapid heat treatment (T = 580°–620°C, time 30 s) using halogen lamps allows the formation of a layer of titanium disilicide in the C49 modification.