Исследование структуры полупроводниковой фазы силицида титана
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Study of the structure of the semiconductor phase of titanium silicide
Abstract
Представлены результаты исследования структуры и фазового состава пленок силицидов титана. Установлено, что быстрая термическая обработка (Т = 580–620°С, время 30 с) с использованием галогенных ламп позволяет сформировать слой дисилицида титана в модификации С49.
item.page.description-other
The results of the study of the structure and phase composition of titanium silicide films are presented. It has been established that rapid heat treatment (T = 580°–620°C, time 30 s) using halogen lamps allows the formation of a layer of titanium disilicide in the C49 modification.
Description
Citation
Анисович, А. Г. Исследование структуры полупроводниковой фазы силицида титана = Study of the structure of the semiconductor phase of titanium silicide / А. Г. Анисович, М. И. Маркевич, Е. Н. Щербакова // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 388-389.