| dc.contributor.author | Анисович, А. Г. | ru |
| dc.contributor.author | Маркевич, М. И. | ru |
| dc.contributor.author | Щербакова, Е. Н. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2025-02-05T12:16:50Z | |
| dc.date.available | 2025-02-05T12:16:50Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Анисович, А. Г. Исследование структуры полупроводниковой фазы силицида титана = Study of the structure of the semiconductor phase of titanium silicide / А. Г. Анисович, М. И. Маркевич, Е. Н. Щербакова // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 388-389. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/153166 | |
| dc.description.abstract | Представлены результаты исследования структуры и фазового состава пленок силицидов титана. Установлено, что быстрая термическая обработка (Т = 580–620°С, время 30 с) с использованием галогенных ламп позволяет сформировать слой дисилицида титана в модификации С49. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Интегралполиграф | ru |
| dc.title | Исследование структуры полупроводниковой фазы силицида титана | ru |
| dc.title.alternative | Study of the structure of the semiconductor phase of titanium silicide | ru |
| dc.type | Article | ru |
| local.description.annotation | The results of the study of the structure and phase composition of titanium silicide films are presented. It has been established that rapid heat treatment (T = 580°–620°C, time 30 s) using halogen lamps allows the formation of a layer of titanium disilicide in the C49 modification. | ru |
