Белорусский национальный технический университет
Repository of the Belarusian National Technical University
ISSN: 2310-7405
Repository of the Belarusian National Technical University
View Item 
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2024
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2024
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Модификация поверхности пластин кремния в результате обработки в DC плазме водорода: исследование методом комбинационного рассеяния

Thumbnail
Authors
Францкевич, А. В.
Францкевич, Н. В.
Мартинович, В. А.
Date
2024
Publisher
Интегралполиграф
Another Title
Surface modification of silicon wafers by hydrogen DC plasma treatment: a raman study
Bibliographic entry
Францкевич, А. В. Модификация поверхности пластин кремния в результате обработки в DC плазме водорода: исследование методом комбинационного рассеяния = Surface modification of silicon wafers by hydrogen DC plasma treatment: a raman study / А. В. Францкевич, Н. В. Францкевич, В. А. Мартинович // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 289-290.
Abstract
Введение водорода в кремний – одна из технологических операций, позволяющая улучшить качество микроэлектронных структур. Однако, после введения водорода в зависимости от многих факто-ров в решетке Si могут возникать напряжения растяжения\сжатия, формироваться SixHy комплексы. Методом комбинационного рассеяния (КР), регистрируя изменения локальных колебательных мод в спек-тральных диапазонах 521 ±20, 2100 ±100, 4161 ±20 cm–1, можно идентифицировать изменения, произошедшие с поверхностью Si. Пластины Cz-Si p-типа обрабатывались в DC плазме водорода при U = 1, 2,5 и 5 кВ, T = 350 оС, и изучались с использованием метода КР. Проведенные исследования позволили зафиксировать изменение интенсивности и местоположения линий в зависимости от условий плазменной обработки. Кроме этого, возможно, зарегистрирован сигнал от орто-пара молекулы водорода.
Abstract in another language
Hydrogen introduction into silicon is one of the technological operations that improves the quality of microelectronic structures. However, after hydrogen introduction, depending on many factors, tensile/compressive stresses may arise in the Si lattice, and SixHy complexes may form. Using the Raman scattering (RS) method, recording changes in local vibrational modes in the spectral ranges of 521 ±20, 2100 ±100, 4161 ±20 cm–1, it is possible to identify changes that have occurred with the Si surface. Cz-Si p-type wafers were processed in DC hydrogen plasma at U = 1, 2.5, 5 kV, T = 350 оC, and studied using the Raman method. The studies made it possible to record a change in the intensity and location of lines depending on the plasma processing conditions. In addition, a signal from an ortho-para hydrogen molecule may have been recorded.
URI
https://rep.bntu.by/handle/data/153113
View/Open
289-290.pdf (350.3Kb)
Collections
  • Материалы конференции по статьям[210]
Show full item record
CORE Recommender

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
 

Browse

All of Repository BNTUCommunities & CollectionsAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateTypeThis CollectionAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateType

My Account

LoginRegister

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us