| dc.contributor.author | Францкевич, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Францкевич, Н. В. | ru |
| dc.contributor.author | Мартинович, В. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2025-02-05T12:16:45Z | |
| dc.date.available | 2025-02-05T12:16:45Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Францкевич, А. В. Модификация поверхности пластин кремния в результате обработки в DC плазме водорода: исследование методом комбинационного рассеяния = Surface modification of silicon wafers by hydrogen DC plasma treatment: a raman study / А. В. Францкевич, Н. В. Францкевич, В. А. Мартинович // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 289-290. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/153113 | |
| dc.description.abstract | Введение водорода в кремний – одна из технологических операций, позволяющая улучшить качество микроэлектронных структур. Однако, после введения водорода в зависимости от многих факто-ров в решетке Si могут возникать напряжения растяжения\сжатия, формироваться SixHy комплексы. Методом комбинационного рассеяния (КР), регистрируя изменения локальных колебательных мод в спек-тральных диапазонах 521 ±20, 2100 ±100, 4161 ±20 cm–1, можно идентифицировать изменения, произошедшие с поверхностью Si. Пластины Cz-Si p-типа обрабатывались в DC плазме водорода при U = 1, 2,5 и 5 кВ, T = 350 оС, и изучались с использованием метода КР. Проведенные исследования позволили зафиксировать изменение интенсивности и местоположения линий в зависимости от условий плазменной обработки. Кроме этого, возможно, зарегистрирован сигнал от орто-пара молекулы водорода. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Интегралполиграф | ru |
| dc.title | Модификация поверхности пластин кремния в результате обработки в DC плазме водорода: исследование методом комбинационного рассеяния | ru |
| dc.title.alternative | Surface modification of silicon wafers by hydrogen DC plasma treatment: a raman study | ru |
| dc.type | Article | ru |
| local.description.annotation | Hydrogen introduction into silicon is one of the technological operations that improves the quality of microelectronic structures. However, after hydrogen introduction, depending on many factors, tensile/compressive stresses may arise in the Si lattice, and SixHy complexes may form. Using the Raman scattering (RS) method, recording changes in local vibrational modes in the spectral ranges of 521 ±20, 2100 ±100, 4161 ±20 cm–1, it is possible to identify changes that have occurred with the Si surface. Cz-Si p-type wafers were processed in DC hydrogen plasma at U = 1, 2.5, 5 kV, T = 350 оC, and studied using the Raman method. The studies made it possible to record a change in the intensity and location of lines depending on the plasma processing conditions. In addition, a signal from an ortho-para hydrogen molecule may have been recorded. | ru |
