Физические принципы формирования полупроводниковых материалов для создания широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей

Authors
Бобрикович, А. А.
Воробей, Р. И.
Жарин, А. Л.
Микитевич, В. А.
Миронович, Н. М.
Пантелеев, К. В.
Полхутенко, С. А.
Русинович, Н. С.
Самарина, А. В.
Свистун, А. И.
Сикорская, К. В.
Сопряков, В. И.
Тявловский, А. К.
Тявловский, К. Л.
Шадурская, Л. И.
xmlui.dri2xhtml.METS-1.0.item-supervisor
Гусев, О. Г.
Date
2020
Another Title
Отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20162615
Bibliographic entry
Физические принципы формирования полупроводниковых материалов для создания широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей [Электронный ресурс] : отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20162615 / Белорусский национальный технический университет ; рук. О. К. Гусев ; исполн.: А. А. Бобрикович [и др.]. – Минск : [б. и.], 2020.
Abstract
Объектом исследования являлись методы формирования полупроводниковых одноэлементных приборных структур широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей. Цель исследования – разработка теоретических основ, физических и технологических принципов формирования полупроводниковых материалов для создания приборных структур фотоэлектрических преобразователей с широким динамическим диапазоном энергетической характеристики. В качестве базовой структуры одноэлементного фотоэлектрического преобразователя для многопараметрических измерений оптического излучения обоснован выбор резистивной и барьерно-резистивной структуры с встречно включенными барьерами на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью, легированных глубокой примесью с многозарядными состояниями. Применение разработанных методов формирования полупроводниковых структур и методов их контроля позволяет разработать технологию производства широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей.
URI
https://rep.bntu.by/handle/data/149462
View/Open
Collections
Show full item record
CORE Recommender