| dc.contributor.author | Бобрикович, А. А. | |
| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | |
| dc.contributor.author | Жарин, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Микитевич, В. А. | |
| dc.contributor.author | Миронович, Н. М. | |
| dc.contributor.author | Пантелеев, К. В. | |
| dc.contributor.author | Полхутенко, С. А. | |
| dc.contributor.author | Русинович, Н. С. | |
| dc.contributor.author | Самарина, А. В. | |
| dc.contributor.author | Свистун, А. И. | |
| dc.contributor.author | Сикорская, К. В. | |
| dc.contributor.author | Сопряков, В. И. | |
| dc.contributor.author | Тявловский, А. К. | |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2024-09-09T11:46:49Z | |
| dc.date.available | 2024-09-09T11:46:49Z | |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Физические принципы формирования полупроводниковых материалов для создания широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей [Электронный ресурс] : отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20162615 / Белорусский национальный технический университет ; рук. О. К. Гусев ; исполн.: А. А. Бобрикович [и др.]. – Минск : [б. и.], 2020. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/149462 | |
| dc.description.abstract | Объектом исследования являлись методы формирования полупроводниковых одноэлементных приборных структур широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей. Цель исследования – разработка теоретических основ, физических и технологических принципов формирования полупроводниковых материалов для создания приборных структур фотоэлектрических преобразователей с широким динамическим диапазоном энергетической характеристики. В качестве базовой структуры одноэлементного фотоэлектрического преобразователя для многопараметрических измерений оптического излучения обоснован выбор резистивной и барьерно-резистивной структуры с встречно включенными барьерами на основе полупроводников с собственной фотопроводимостью, легированных глубокой примесью с многозарядными состояниями. Применение разработанных методов формирования полупроводниковых структур и методов их контроля позволяет разработать технологию производства широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.title | Физические принципы формирования полупроводниковых материалов для создания широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей | ru |
| dc.title.alternative | Отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20162615 | ru |
| dc.type | Technical Report | ru |
| dc.contributor.supervisor | Гусев, О. Г. | |
