Белорусский национальный технический университет
Repository of the Belarusian National Technical University
ISSN: 2310-7405
Repository of the Belarusian National Technical University
View Item 
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2023
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2023
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Модель твердофазной рекристаллизации механически нарушенного слоя кремния при быстрой термообработке

Thumbnail
Authors
Пилипенко, В. А.
Омельченко, А. А.
Date
2023
Publisher
БНТУ
Another Title
Model solid phase recrystallization of the mechnically disrupted silicon layer during the rapid thermal treatment
Bibliographic entry
Пилипенко, В. А. Модель твердофазной рекристаллизации механически нарушенного слоя кремния при быстрой термообработке = Model solid phase recrystallization of the mechnically disrupted silicon layer during the rapid thermal treatment / В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 127-128.
Abstract
Целью работы являлись разработка модели твердофазной рекристаллизации нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин после химико-механической полировки с применением импульсной фотонной обработки и ее математическое описание. Показано, что за счет снижения энергии активации скорости рекристаллизации нарушенного слоя кремния при его нагреве световыми импульсами до температуры ≥ 950 оС происходит полная его рекристаллизация. Описан процесс рекристаллизации с применением БТО, и определены параметры светового импульса, минимизирующие температурную нагрузку на кремниевую пластину.
Abstract in another language
The objective of the work was development of the model of solid-phase re-crystallization of the damaged layer on the surface of silicon wafers after chemical and mechanical polishing with application of pulse-photonic processing and its mathematical presentation. It is demonstrated that due to increase of the energy of activating re-crystallization rate of disturbed silicon layer at its being heated by light pulses up to ≥950 оС there occurs its full re-crystallization. The process of recrystallization using Rapid Thermal Treatment is described and there are defined the parameters of light pulse, that ensure minimizing the temperature impact on a silicon wafer.
URI
https://rep.bntu.by/handle/data/138665
View/Open
127-128.pdf (296.7Kb)
Collections
  • Материалы конференции по статьям[224]
Show full item record
CORE Recommender

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
 

Browse

All of Repository BNTUCommunities & CollectionsAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateTypeThis CollectionAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateType

My Account

LoginRegister

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us