| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Омельченко, А. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2023-12-21T07:32:34Z | |
| dc.date.available | 2023-12-21T07:32:34Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Пилипенко, В. А. Модель твердофазной рекристаллизации механически нарушенного слоя кремния при быстрой термообработке = Model solid phase recrystallization of the mechnically disrupted silicon layer during the rapid thermal treatment / В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 127-128. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/138665 | |
| dc.description.abstract | Целью работы являлись разработка модели твердофазной рекристаллизации нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин после химико-механической полировки с применением импульсной фотонной обработки и ее математическое описание. Показано, что за счет снижения энергии активации скорости рекристаллизации нарушенного слоя кремния при его нагреве световыми импульсами до температуры ≥ 950 оС происходит полная его рекристаллизация. Описан процесс рекристаллизации с применением БТО, и определены параметры светового импульса, минимизирующие температурную нагрузку на кремниевую пластину. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Модель твердофазной рекристаллизации механически нарушенного слоя кремния при быстрой термообработке | ru |
| dc.title.alternative | Model solid phase recrystallization of the mechnically disrupted silicon layer during the rapid thermal treatment | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The objective of the work was development of the model of solid-phase re-crystallization of the damaged layer on the surface of silicon wafers after chemical and mechanical polishing with application of pulse-photonic processing and its mathematical presentation. It is demonstrated that due to increase of the energy of activating re-crystallization rate of disturbed silicon layer at its being heated by light pulses up to ≥950 оС there occurs its full re-crystallization. The process of recrystallization using Rapid Thermal Treatment is described and there are defined the parameters of light pulse, that ensure minimizing the temperature impact on a silicon wafer. | ru |
