Полупроводниковый светодиодный элемент
Loading...
Files
Authors
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Semiconductor led element
Abstract
Полупроводниковый светодиодный элемент, содержащий p- и n-слой, омические контакты к ним, выполнен p-i-n структурой из широкозонного полупроводника с сильнорегированными p+- и n+- слоями толщиной (0,7–0,9)Ld, а толщина i-слоя собственной проводимости равна (1,1–1,6)Ld, где Ld – диффузионная длина носителей заряда.
item.page.description-other
A semiconductor LED element containing a p- and n-layer, ohmic contacts to them, is made of a p-i-n structure from a wide-gap semiconductor with highly regulated p+- and n+- layers with a thickness of (0.7–0.9)Ld, and the thickness of the i-layer intrinsic conductivity is equal to (1.1–1.6)Ld, where Ld is the diffusion length of charge carriers.
Description
Citation
Сычик, В. А. Полупроводниковый светодиодный элемент = Semiconductor led element / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 89-90.