Полупроводниковый светодиодный элемент
Another Title
Semiconductor led element
Bibliographic entry
Сычик, В. А. Полупроводниковый светодиодный элемент = Semiconductor led element / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 89-90.
Abstract
Полупроводниковый светодиодный элемент, содержащий p- и n-слой, омические контакты к ним, выполнен p-i-n структурой из широкозонного полупроводника с сильнорегированными p+- и n+- слоями толщиной (0,7–0,9)Ld, а толщина i-слоя собственной проводимости равна (1,1–1,6)Ld, где Ld – диффузионная длина носителей заряда.
Abstract in another language
A semiconductor LED element containing a p- and n-layer, ohmic contacts to them, is made of a p-i-n structure from a wide-gap semiconductor with highly regulated p+- and n+- layers with a thickness of (0.7–0.9)Ld, and the thickness of the i-layer intrinsic conductivity is equal to (1.1–1.6)Ld, where Ld is the diffusion length of charge carriers.