Silicon hyperdoped with selenium for broad band infrared photodetectors and solar cells
Another Title
Слои кремния, гипердопированные селеном, для широкодиапазонных ИК-фотодетекторов и солнечых батарей
Bibliographic entry
Silicon hyperdoped with selenium for broad band infrared photodetectors and solar cells = Слои кремния, гипердопированные селеном, для широкодиапазонных ИК-фотодетекторов и солнечых батарей / F. Komarov [et al.] // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 207-208.
Abstract
In this work, we present the formation of silicon layers hyperdoped with selenium through Se implantation followed by pulsed laser annealing. The concentration depth distribution of Se atoms was investigated by Rutherford backscattering. The crystallinity of the doped silicon layer and the fraction of Se atoms in Si lattice sites were determined using backscattering yield analysis. Experimental and theoretical sub-band properties were compared and discussed. Notably, a significant increase in light absorption across a wide spectral region (0.2–23.0 μm) was observed, demonstrating the potential of selenium hyperdoping for enhancing infrared absorption in silicon.
Abstract in another language
В этой работе мы представляем формирование слоев кремния, гипердопированных селеном, путем имплантации Se с последующим импульсным лазерным отжигом. Распределение концентрации ато- мов Se по глубине было исследовано методом обратного Резерфордовского рассеяния. Кристалличность легированного слоя кремния и доля атомов Se в узлах решетки Si были определены с помощью анализа выхода рассеянных ионов гелия в режиме каналирования их. Были сравнены и обсуждены эксперимен- тальные и теоретические характеристики подзоны в запрещенной зоне Si. Примечательно, что наблюдалось значительное увеличение поглощения света в широкой области спектра (0,2–23,0 мкм), демонстрирующее потенциал гипердопирования селеном для усиления поглощения инфракрасного излучения кремнием.