Show simple item record

dc.contributor.authorKomarov, F.ru
dc.contributor.authorParkhomenko, I.ru
dc.contributor.authorWang, Tingru
dc.contributor.authorMilchanin, O.ru
dc.contributor.authorZhussupbekov, K.ru
dc.contributor.authorZhussupbekova, A.ru
dc.contributor.authorWendler, E.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2023-12-21T07:32:11Z
dc.date.available2023-12-21T07:32:11Z
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationSilicon hyperdoped with selenium for broad band infrared photodetectors and solar cells = Слои кремния, гипердопированные селеном, для широкодиапазонных ИК-фотодетекторов и солнечых батарей / F. Komarov [et al.] // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 207-208.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/138487
dc.description.abstractIn this work, we present the formation of silicon layers hyperdoped with selenium through Se implantation followed by pulsed laser annealing. The concentration depth distribution of Se atoms was investigated by Rutherford backscattering. The crystallinity of the doped silicon layer and the fraction of Se atoms in Si lattice sites were determined using backscattering yield analysis. Experimental and theoretical sub-band properties were compared and discussed. Notably, a significant increase in light absorption across a wide spectral region (0.2–23.0 μm) was observed, demonstrating the potential of selenium hyperdoping for enhancing infrared absorption in silicon.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.titleSilicon hyperdoped with selenium for broad band infrared photodetectors and solar cellsru
dc.title.alternativeСлои кремния, гипердопированные селеном, для широкодиапазонных ИК-фотодетекторов и солнечых батарейru
dc.typeWorking Paperru
local.description.annotationВ этой работе мы представляем формирование слоев кремния, гипердопированных селеном, путем имплантации Se с последующим импульсным лазерным отжигом. Распределение концентрации ато- мов Se по глубине было исследовано методом обратного Резерфордовского рассеяния. Кристалличность легированного слоя кремния и доля атомов Se в узлах решетки Si были определены с помощью анализа выхода рассеянных ионов гелия в режиме каналирования их. Были сравнены и обсуждены эксперимен- тальные и теоретические характеристики подзоны в запрещенной зоне Si. Примечательно, что наблюдалось значительное увеличение поглощения света в широкой области спектра (0,2–23,0 мкм), демонстрирующее потенциал гипердопирования селеном для усиления поглощения инфракрасного излучения кремнием.ru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record