Browsing Наука – образованию, производству, экономике by Author "Шадурская, Л. И."
Now showing items 1-15 of 15
-
Генерационно-рекомбинационный шум в фотодетекторах на основе полупроводников с многозарядными примесями и дефектами
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В (БНТУ, 2012)Гусев, О. К. Генерационно-рекомбинационный шум в фотодетекторах на основе полупроводников с многозарядными примесями и дефектами / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. ВЯржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Десятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. ...2021-05-20 -
ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при высоких интенсивностях света
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2008)Гусев, О. К. ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при высоких интенсивностях света / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. ...2021-08-26 -
Инжекционная зависимость подвижности носителей заряда при перезарядке глубоких примесей
Шадурская, Л. И.; Юнчик, А. А.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2009)Шадурская, Л. И. Инжекционная зависимость подвижности носителей заряда при перезарядке глубоких примесей / Л. И. Шадурская, А. А. Юнчик, Н. В. Яржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Седьмой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. ...2021-09-30 -
Классификация изменений фотоэлектрического усиления фотопроводящих структур в сильных электрических полях
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2015)Гусев, О. К. Классификация изменений фотоэлектрического усиления фотопроводящих структур в сильных электрических полях / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 2. - С. 169.2016-03-04 -
Методика испытаний полупроводниковых фотоэлектрических нуль-детекторов
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2006)Методика испытаний полупроводниковых фотоэлектрических нуль-детекторов / Р. И. Воробей [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Четвертой международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2006. – Т. 1. – С. 233-235.2021-11-11 -
Модель формирования характеристик энергетической и спектральной характеристик широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей
Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2017)Шадурская, Л. И. Модель формирования характеристик энергетической и спектральной характеристик широкодиапазонных фотоэлектрических преобразователей / Л. И. Шадурская // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 2. - С. 217.2018-04-03 -
Неадлитивная фотопроводимость в полупроводниках с глубокими примесями
Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2011)Неадлитивная фотопроводимость в полупроводниках с глубокими примесями / О. К. Гусев [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Девятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2011. – Т. 2. – С. 170.2021-06-04 -
Оптическое гашение фотоэдс в поверхностно-барьерных диодах на основе кремния p-типа
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2015)Гусев, О. К. Оптическое гашение фотоэдс в поверхностно-барьерных диодах на основе кремния p-типа / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 2. - С. 168.2016-03-04 -
Особенности инжекционных зависимостей времени жизни основных носителей заряда в полупроводниках с двумя видами рекомбинационных уровней
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2016)Гусев, О. К. Особенности инжекционных зависимостей времени жизни основных носителей заряда в полупроводниках с двумя видами рекомбинационных уровней / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 2. - С. 204.2017-04-03 -
Плазменное легирование приборных структур многозарядными примесями
Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2013)Шадурская, Л. И. Плазменное легирование приборных структур многозарядными примесями / Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 11-й Международной научно-технической конференции. Т. 2. - Минск : БНТУ, 2013. - С. 189.2015-08-21 -
Потенциальный барьер как инженерный параметр в приборных структурах на основе полупроводников с глубокими центрами
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2008)Гусев, О. К. Потенциальный барьер как инженерный параметр в приборных структурах на основе полупроводников с глубокими центрами / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. ...2021-08-26 -
Разработка и исследование датчиков с вибрирующими механическими элементами
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2016)Гусев, О. К. Разработка и исследование датчиков с вибрирующими механическими элементами / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 2. - С. 203.2017-04-03 -
Твердофазный метод легирования эпитаксиальных структур
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2017)Гусев, О. К. Твердофазный метод легирования эпитаксиальных структур / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 2. - С. 216.2018-04-03 -
Технология изготовления электродов и контроль их качества при твердофазном легировании эпитаксиальных структур кремния
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2018)Гусев, О. К. Технология изготовления электродов и контроль их качества при твердофазном легировании эпитаксиальных структур кремния / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 16-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2018. - Т. 2. - С. 162.2019-04-25 -
Физические основы методов испытания приборов на основе полупроводниковых материалов с глубокими центрами
Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2014)Тявловский, К. Л. Физические основы методов испытания приборов на основе полупроводниковых материалов с глубокими центрами / К. Л. Тявловский, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 2. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 187.2015-01-14