Способ формирования геттерирующего скрытого слоя
Another Title
Method of formation of the gettering latent layer
Bibliographic entry
Способ формирования геттерирующего скрытого слоя = Method of formation of the gettering latent layer / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 47-48.
Abstract
Рассмотрен способ формирования геттерирующего слоя в составе транзисторной структуры интегральной схемы. Для введения вольфрама в качестве геттерирующей примеси предлагается использовать метод газоразрядного легирования в режиме тлеющего разряда или интенсификацию процесса методом лазерного распыления материала мишени.
Abstract in another language
The method of formation of a gettering layer as a part of transistor structure of the integrated circuit is considered. For introduction of tungsten as a gettering impurity it is offered to use a method of gas-discharge alloying in a mode of decaying discharge or an intensification of process by a method of a laser pulverization of a material of a target.