| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:21Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:21Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Способ формирования геттерирующего скрытого слоя = Method of formation of the gettering latent layer / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 47-48. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109630 | |
| dc.description.abstract | Рассмотрен способ формирования геттерирующего слоя в составе транзисторной структуры интегральной схемы. Для введения вольфрама в качестве геттерирующей примеси предлагается использовать метод газоразрядного легирования в режиме тлеющего разряда или интенсификацию процесса методом лазерного распыления материала мишени. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Способ формирования геттерирующего скрытого слоя | ru |
| dc.title.alternative | Method of formation of the gettering latent layer | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The method of formation of a gettering layer as a part of transistor structure of the integrated circuit is considered. For introduction of tungsten as a gettering impurity it is offered to use a method of gas-discharge alloying in a mode of decaying discharge or an intensification of process by a method of a laser pulverization of a material of a target. | ru |
