Browsing by Author "Омельченко, А. А."
Now showing items 1-4 of 4
-
Военно-исторические причины возникновения вооруженного конфликта в Нагорном Карабахе
Омельченко, А. А. (БНТУ, 2021)Омельченко, А. А. Военно-исторические причины возникновения вооруженного конфликта в Нагорном Карабахе / А. А. Омельченко ; науч. рук. А. А. Омельченко // Работа командиров общевойсковых, технических и инженерных подразделений по организации и выполнению боевых задач в современных условиях [Электронный ресурс] : материалы 77-й Республиканской научно-технической конференции курсантов ...2021-07-14 -
Модель твердофазной рекристаллизации механически нарушенного слоя кремния при быстрой термообработке
Пилипенко, В. А.; Омельченко, А. А. (БНТУ, 2023)Целью работы являлись разработка модели твердофазной рекристаллизации нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин после химико-механической полировки с применением импульсной фотонной обработки и ее математическое описание. Показано, что за счет снижения энергии активации скорости рекристаллизации нарушенного слоя кремния при его нагреве световыми импульсами до температуры ...2023-12-21 -
Разработать метод бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметров до 200 мм. Часть 1
Владимирова, Т. Л.; Воробей, И. В.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Костина, Г. А.; Самарина, А. В.; Микитевич, В. А.; Миронович, Н. М.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Сопряков, В. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Петлицкий, А. Н.; Чигирь, Г. Г.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.; Шабалина, С. В.; Омельченко, А. А. (2019)Объектом исследования являлись методы бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах. Целью исследования являлась разработка новых методов и средств контроля и картирования поверхности полупроводниковых пластин, обеспечивающих бесконтактные неразрушающие измерения физических параметров ...2025-04-15 -
Разработать метод бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметров до 200 мм. Часть 2. Приложения
Владимирова, Т. Л.; Воробей, И. В.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Костина, Г. А.; Самарина, А. В.; Микитевич, В. А.; Миронович, Н. М.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Сопряков, В. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Петлицкий, А. Н.; Чигирь, Г. Г.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.; Шабалина, С. В.; Омельченко, А. А. (2019)Объектом исследования являлись методы бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах. Целью исследования являлась разработка новых методов и средств контроля и картирования поверхности полупроводниковых пластин, обеспечивающих бесконтактные неразрушающие измерения физических параметров ...2025-04-15