Разработать метод бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметров до 200 мм. Часть 1

Abstract

Объектом исследования являлись методы бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах. Целью исследования являлась разработка новых методов и средств контроля и картирования поверхности полупроводниковых пластин, обеспечивающих бесконтактные неразрушающие измерения физических параметров ионно-легированных и диффузионных приповерхностных слоев полупроводников на основе регистрации изменений поверхностной фото-ЭДС при воз-действии модулированным оптическим излучением, анализа особенностей изменения составляющих поверхностной фото-ЭДС полупроводника при воздействии модулированным оптическим излучением различных длин волн в зависимости от значений физических параметров поверхности полупроводниковой пластины. В результате исследований разработаны физические основы контроля качества тонких ионно-легированных и диффузионных слоев полупроводниковых пластинах кремния на основе неразрушающего контроля параметров пространственного распределения значений удельного поверхностного сопротивления (10-100 000 Ом/квадрат), основанных на базе методов зондовой электрометрии поверхности. Обоснован новый метод и разработана методика бесконтактного картирования (до 104 точек) и контроля однородности распре-деления параметров тонких (менее 1 мкм) ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах кремния диаметром до 200 мм. Разработана конструкция и изготовлены эскизный и опытный образцы измерительной установки бесконтактной фотостимулированной сканирующей электрометрии, реализующей предложенный метод.