Browsing by Author "Мухуров, Н. И."

Now showing items 1-20 of 39

    • Анализ визуализированных изображений распределения электрофизических параметров наноструктурированных поверхностей 

      Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Воробей, Р. И.; Мухуров, Н. И. (БНТУ, 2016)
      Анализ визуализированных изображений распределения электрофизических параметров наноструктурированных поверхностей / О. К. Гусев [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 46-48.
      2017-03-02

    • Анализ дефектов поверхности исходных подложек алюминия и его сплавов методом сканирующего зонда Кельвина 

      Тявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Мухуров, Н. И.; Шаронов, Г. В.; Пантелеев, К. В. (БНТУ, 2017)
      В настоящее время использование методов зондовой электрометрии в неразрушающем контроле сдерживается сложностью интерпретации результатов измерений, что связано с многофакторностью измерительного сигнала, зависящего от большого количества параметров физико-химического состояния поверхности: отклонений химического состава, механических напряжений, дислокаций, кристаллографической ...
      2017-03-02

    • Бесконтактный измерительный преобразователь поверхностной фотоЭДС на основе статического конденсатора 

      Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Мухуров, Н. И.; Колтунович, Т. Н.; Дубаневич, А. В.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2013)
      Бесконтактный измерительный преобразователь поверхностной фотоЭДС на основе статического конденсатора / Р. И. Воробей, А. Л. Жарин, Н. И. Мухуров [и др.] // Приборостроение-2013 : материалы 6-й Международной научно-технической конференции (20–22 ноября 2013 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. кол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 32-34.
      2025-06-12

    • Визуализация потенциального рельефа защитных покрытий летательных аппаратов 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Мухуров, Н. И.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2009)
      Визуализация потенциального рельефа защитных покрытий летательных аппаратов / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение-2009 : материалы 2-й Международной научно-технической конференции, 11-13 ноября 2009 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 162-163.
      2026-03-13

    • Выявление скрытых механических дефектов алюминиевых подложек методом сканирующего зонда Кельвина 

      Свистун, А. И.; Жарин, А. Л.; Тявловский, А. К.; Пантелеев, К. В.; Микитевич, В. А.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Тявловский, К. Л.; Мухуров, Н. И. (Интегралполиграф, 2024)
      Объектом исследования являлись алюминиевые подложки для создания сенсорных устройств на основе анодного оксида алюминия, прошедшие механическую обработку в виде шлифовки и рихтовки. Предметом исследования – выявление остаточных механических напряжений и иных дефектов поверхности для оценки качества данной обработки методом сканирующего зонда Кельвина. Показано, что данный метод ...
      2025-02-05

    • Исследование газочувствительных слоев In2O3-SnO2 для полупроводниковых сенсоров 

      Реутская, О. Г.; Денисюк, С. В.; Куданович, О. Н.; Мухуров, Н. И.; Лугин, В. Г.; Таратын, И. А. (БНТУ, 2019)
      Исследование газочувствительных слоев In2O3-SnO2 для полупроводниковых сенсоров / О. Г. Реутская [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 374-376.
      2020-01-03

    • Исследование дефектов анодного оксида алюминия методами оптической микроскопии и сканирующей зондовой электрометрии 

      Жарин, А. Л.; Тявловский, А. К.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Микитевич, В. А.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Борисенок, С. В.; Самарина, А. В.; Мухуров, Н. И. (Интегралполиграф, 2024)
      Для исследования дефектности поверхности анодного оксида алюминия применен комплексный подход, включающий анализ пространственного распределения относительных значений работы выхода электрона и поверхностной фото-ЭДС методом сканирующего зонда Кельвина и подробное изучение дефектных областей методом оптической микроскопии. Сканирование поверхности образца электрометрическим зондом ...
      2025-02-05

    • Исследование наноструктурированных покрытий методом зондовой электрометрии 

      Гусев, О. К.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Жарин, А. Л.; Воробей, Р. И.; Мухуров, Н. И. (БНТУ, 2010)
      Исследование наноструктурированных покрытий методом зондовой электрометрии / О. К. Гусев, А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский [и др.] // Приборостроение-2010 : материалы 3-й Международной научно-технической конференции, 10–12 ноября 2010 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2010. – С. 158-159.
      2026-03-12

    • Исследование пространственного распределения работы выхода электрона поверхности образца с наноструктурированным покрытием 

      Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Мухуров, Н. И.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2013)
      Исследование пространственного распределения работы выхода электрона поверхности образца с наноструктурированным покрытием / О. К. Гусев, А. Л. Жарин, Н. И. Мухуров [и др.] // Приборостроение-2013 : материалы 6-й Международной научно-технической конференции (20–22 ноября 2013 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. кол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 172-174.
      2025-06-12

    • Конструкция датчиков потоков космической плазмы на основе цилиндра Фарадея 

      Мухуров, Н. И.; Гасенкова, И. В.; Андрухович, И. М.; Застенкер, Г. Н.; Бородкова, Н. Л.; Костенко, В. И.; Каримов, Б. Т. (БНТУ, 2017)
      Важными задачами современных космических исследований являются изучение и непрерывные наблюдения процессов космической и метеорологической «погоды». Одним из электронных приборов для проведения таких исследований является датчик плазмы на основе цилиндра Фарадея. Цель работы состояла в разработке конструктивного варианта цилиндра Фарадея с прецизионными чувствительными (селектирующими) ...
      2017-12-15

    • Контроль качества оптических металлических поверхностей, обработанных по технологии алмазного наноточения, по распределению работы выхода электрона 

      Шаронов, Г. В.; Жарин, А. Л.; Мухуров, Н. И.; Пантелеев, К. В. (БНТУ, 2015)
      Контроль качества оптических металлических поверхностей, обработанных по технологии алмазного наноточения, по распределению работы выхода электрона / Г. В. Шаронов [и др.] // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – ...
      2016-10-04

    • Контроль качества отражающих оптических поверхностей высшего класса чистоты методами зондовой электрометрии 

      Тявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Мухуров, Н. И.; Шаронов, Г. В. (БНТУ, 2017)
      Контроль качества отражающих оптических поверхностей высшего класса чистоты методами зондовой электрометрии / А. К. Тявловский [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 81-83.
      2018-02-01

    • Контроль качества подложек из сплава алюминия неразрушающим методом контактной разности потенциалов 

      Шаронов, Г. В.; Жарин, А. Л.; Тявловский, А. К.; Гасенкова, И. В.; Мухуров, Н. И. (НИИПФП им. А. Н. Севченко, 2017)
      В статье представлены результаты сравнительного исследования качества подложек из сплава АМГ-2, в том числе после обработки поверхностей алмазным наноточением. Неразрушающий контроль параметров поверхности реализован путем регистрации распределения работы выхода электрона (РВЭ) по контактной разности потенциалов с обработкой микропроцессорным измерительным преобразователем ...
      2021-06-22

    • Контроль металлических поверхностей, обработанных алмазным наноточением, по работе выхода электрона 

      Шаронов, Г. В.; Жарин, А. Л.; Мухуров, Н. И.; Пантелеев, К. В. (БНТУ, 2015)
      Технология размерной обработки резанием базируется на использовании интегральных геометрических параметров поверхности твердого тела. Технологическое воздействие резца приводит к процессам окисления и изменению физико-химических параметров поверхности. Для описания характеристик обработки и формирования сверхгладких поверхностей контроль геометрических параметров оказывается ...
      2015-12-30

    • Контроль свойств поверхности функциональных материалов с использованием методики многопараметрических измерений 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Дубаневич, А. В.; Жарин, А. Л.; Мухуров, Н. И.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2013)
      Контроль свойств поверхности функциональных материалов с использованием методики многопараметрических измерений / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. В. Дубаневич [и др.] // Приборостроение-2013 : материалы 6-й Международной научно-технической конференции (20–22 ноября 2013 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. кол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 30-32.
      2025-06-12

    • Математическая модель измерений пространственного распределения потенциала поверхности диэлектрических материалов 

      Тявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Гусев, О. К.; Тявловский, К. Л.; Мухуров, Н. И.; Опеляк, М. (БНТУ, 2018)
      Математическая модель измерений пространственного распределения потенциала поверхности диэлектрических материалов / А. К. Тявловский [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 86-87.
      2019-04-17

    • Математическое моделирование зависимости разрешающей способности электрометрического зонда от его геометрических параметров 

      Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Жарин, А. Л.; Мухуров, Н. И.; Дубаневич, А. В. (БНТУ, 2012)
      Математическое моделирование зависимости разрешающей способности электрометрического зонда от его геометрических параметров / А. К. Тявловский, К. Л. Тявловский, А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение-2012 : материалы 5-й Международной научно-технической конференции, 21–23 ноября 2012 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский ...
      2026-03-11

    • Методика исследования метрологических характеристик измерительных преобразователей электрического потенциала 

      Тявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Мухуров, Н. И. (БНТУ, 2013)
      Тявловский, К. Л. Методика исследования метрологических характеристик измерительных преобразователей электрического потенциала / К. Л. Тявловский, А. К. Тявловский, Н. И. Мухуров // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 11-й Международной научно-технической конференции. Т. 2. - Минск : БНТУ, 2013. - С. 186.
      2015-08-20

    • Методика неразрушающего контроля качества наноструктурированных покрытий на основе анализа распределения РВЭ 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Мухуров, Н. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Свистун, А. И.; Дубаневич, А. В. (БНТУ, 2014)
      В результате проведенных исследований разработаны технические требования к методике сплошного неразрушающего контроля электро-физических свойств чувствительных элементов из наноструктурированных материалов для нового поколения датчиков потока космической плазмы.
      2015-03-16

    • Методика оценки однородности параметров поверхности полупроводниковой структуры 

      Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Мухуров, Н. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Дубаневич, А. В. (БНТУ, 2011)
      Методика оценки однородности параметров поверхности полупроводниковой структуры / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение-2011 : материалы 4-й Международной научно-технической конференции, 16–18 ноября 2011 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2011. – С. 185-187.
      2026-03-12