Browsing by Author "Вабищевич, Н. В."
Now showing items 1-7 of 7
-
Индентирование облученных электронами пленок позитивных новолачных фоторезистов на кремнии
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (БНТУ, 2022)Методом микроиндентирования исследованы прочностные и адгезионные свойства пленок диазохинон-новолачных позитивных фоторезистов S1813, SPR-700 и ФП9120 толщиной 1,2–1,8 мкм, облученных электронами c энергией 5 МэВ флюенсом 3·1016 см-2. Показано, что при облучении микротвердость фоторезистивных пленк возрастает, причем наиболее существенно в SPR-700.2022-12-28 -
Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии
Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2016)Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии / С. А. Вабищевич [и др.] // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2015. – Т. 1. - С. 208-209.2016-10-05 -
Особенности измерения микропрочностных свойств полупроводниковых материалов методом микроиндентирования
Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Простомолотов, А. И.; Черный, В. В.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2012)Особенности измерения микропрочностных свойств полупроводниковых материалов методом микроиндентирования / Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, С. А. Вабищевич [и др.] // Приборостроение-2012 : материалы 5-й Международной научно-технической конференции, 21–23 ноября 2012 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск ...2026-03-11 -
Прочностные свойства и морфология поверхности структур фоторезист ФП9120 – кремний
Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)Целью настоящей работы являлось исследование прочностных свойств пленок фоторезиста марки ФП9120 различной толщины, нанесенных на пластины кремния различных марок.2015-03-23 -
Прочностные свойства пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120, имплантированных ионами серебра
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (БНТУ, 2023)Методом микроиндентировния исследованы пленки позитивного диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5 1016–1,0 1017 cм–2 на имплантаторе ИЛУ-3. Сформированный при ионной имплантации Ag+ карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения ...2023-12-21 -
Прочностные свойства пленок фоторезиста AZ nLOF 5510
Абрамов, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (Интегралполиграф, 2024)Методом индентирования исследованы пленки негативного фоторезиста AZ nLOF 5510 толщиной 0,99 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Пленки AZ nLOF 5510 ведут себя как упругопластичные материалы, в которых присутствуют растягивающие упругие напряжения. После дополнительной сушки и ионного травления поведение пленок AZ nLOF 5510 при индентировании ...2025-02-05 -
Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Гайшун, В. Е. (БНТУ, 2016)В последние годы интенсивно разрабатываются новые виды резистов для нано- и субмикронной литографии современной электроники. В качестве перспективных материалов для резистов рассматриваются различные полимерные композиции на основе термически и механически стойких полимеров. Целью настоящей работы являлось изучение возможности применения методов микроиндентирования и склерометрии ...2016-06-07






