Определения температурной зависимости ширины запрещенной зоны полупроводников
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Determination of the temperature dependence of the bandgap width of semiconductors
Abstract
Показывается возможность определения ширины запрещенной зоны полупроводника с помощью математической модели температурной зависимости плотности состояний в широком энергетическом диапазоне. Определяется спектр ширины запрещенной зоны по модели и сравнивается с экспериментальными результатами. Разработана методика определения температурной зависимости ширины запрещенной зоны с помощью построенной модели температурной зависимости плотности состояний.
item.page.description-other
The possibility of determining the band gap of a semiconductor using a mathematical model of the temperature dependence of the density of states in a wide energy range is shown. The bandgap spectrum is determined from the model and compared with experimental results. A technique has been developed for determining the temperature dependence of the band gap using the constructed model of the temperature dependence of the density of states.
Description
Citation
Определения температурной зависимости ширины запрещенной зоны полупроводников = Determination of the temperature dependence of the bandgap width of semiconductors / Н. Ю. Шарибаев [и др.] // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 95-97.