Определения температурной зависимости ширины запрещенной зоны полупроводников
Another Title
Determination of the temperature dependence of the bandgap width of semiconductors
Bibliographic entry
Определения температурной зависимости ширины запрещенной зоны полупроводников = Determination of the temperature dependence of the bandgap width of semiconductors / Н. Ю. Шарибаев [и др.] // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 95-97.
Abstract
Показывается возможность определения ширины запрещенной зоны полупроводника с помощью математической модели температурной зависимости плотности состояний в широком энергетическом диапазоне. Определяется спектр ширины запрещенной зоны по модели и сравнивается с экспериментальными результатами. Разработана методика определения температурной зависимости ширины запрещенной зоны с помощью построенной модели температурной зависимости плотности состояний.
Abstract in another language
The possibility of determining the band gap of a semiconductor using a mathematical model of the temperature dependence of the density of states in a wide energy range is shown. The bandgap spectrum is determined from the model and compared with experimental results. A technique has been developed for determining the temperature dependence of the band gap using the constructed model of the temperature dependence of the density of states.