Модель твердофазной рекристаллизации механически нарушенного слоя кремния при быстрой термообработке
Loading...
Files
Authors
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Model solid phase recrystallization of the mechnically disrupted silicon layer during the rapid thermal treatment
Abstract
Целью работы являлись разработка модели твердофазной рекристаллизации нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин после химико-механической полировки с применением импульсной фотонной обработки и ее математическое описание. Показано, что за счет снижения энергии активации скорости рекристаллизации нарушенного слоя кремния при его нагреве световыми импульсами до температуры ≥ 950 оС происходит полная его рекристаллизация. Описан процесс рекристаллизации с применением БТО, и определены параметры светового импульса, минимизирующие температурную нагрузку на кремниевую пластину.
item.page.description-other
The objective of the work was development of the model of solid-phase re-crystallization of the damaged layer on the surface of silicon wafers after chemical and mechanical polishing with application of pulse-photonic processing and its mathematical presentation. It is demonstrated that due to increase of the energy of activating re-crystallization rate of disturbed silicon layer at its being heated by light pulses up to ≥950 оС there occurs its full re-crystallization. The process of recrystallization using Rapid Thermal Treatment is described and there are defined the parameters of light pulse, that ensure minimizing the temperature impact on a silicon wafer.
Description
Citation
Пилипенко, В. А. Модель твердофазной рекристаллизации механически нарушенного слоя кремния при быстрой термообработке = Model solid phase recrystallization of the mechnically disrupted silicon layer during the rapid thermal treatment / В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 127-128.