Электрополевые зависимости параметров глубоких центров в кремнии
Loading...
Files
Authors
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Dependencies of the parameters of deep centers in silicon on the electric field strength
Abstract
В работе рассчитана зависимость поляризационного потенциала нейтрального центра от расстояния во внешнем электрическом поле. Изучены зависимости энергии активации и сечения захвата электронов А-центра в кремнии от напряженности электрического поля. Объяснены зависимости параметров глубоких уровней в кремнии от электрического поля на основе модели поляризационного потенциала. Учитывалось понижение потенциального барьера центров, а также зависимость сечения захвата, как координаты максимума потенциала в электрическом поле.
item.page.description-other
The dependence of the polarization potential of the neutral center on the distance in the external electric field is calculated in this work. The dependencies of the activation energy and capture cross section of electrons of the A-center in silicon on the electric field strength have been explored. The dependencies of the parameters of deep levels in silicon on the electric field are explained on the basis of the polarization potential model. The decrease in the potential barrier of the centers was taken into account, as well as the dependence of the capture cross section, as the coordinate of the potential maximum in the electric field.
Description
Citation
Сопряков, В. И. Электрополевые зависимости параметров глубоких центров в кремнии = Dependencies of the parameters of deep centers in silicon on the electric field strength / В. И. Сопряков, Д. С. Рубин // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 98-100.