Методика входного контроля транзисторов с затвором Шоттки, изготовленных на n+-n-i- GaAs-структурах
Bibliographic entry
Емельяненко, Ю. С. Методика входного контроля транзисторов с затвором Шоттки, изготовленных на n+-n-i- GaAs-структурах / Ю. С. Емельяненко, А. М. Новоселов // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Десятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2012. – Т. 3. – С. 406.