Now showing items 1-2 of 2

    • Методика входного контроля транзисторов с затвором Шоттки, изготовленных на n+-n-i- GaAs-структурах 

      Емельяненко, Ю. С.; Новоселов, А. М. (БНТУ, 2012)
      Емельяненко, Ю. С. Методика входного контроля транзисторов с затвором Шоттки, изготовленных на n+-n-i- GaAs-структурах / Ю. С. Емельяненко, А. М. Новоселов // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Десятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. ...
      2021-05-26
    • Электрофизические свойства светоизлучающих диодов 

      Черный, В. В.; Новоселов, А. М. (БНТУ, 2012)
      Черный, В. В. Электрофизические свойства светоизлучающих диодов / В. В. Черный, А. М. Новоселов // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Десятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2012. – Т. 3. – С. 413.
      2021-05-26