Now showing items 1-2 of 2

    • Высокочастотный Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой 

      Горбаченя, К. Н.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В.; Мальцев, В. В.; Леонюк, Н. И. (БНТУ, 2012)
      Представлены генерационные характеристики микрочип-лазера на кристалле Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 в режиме пассивной модуляции добротности для применения в дальнометрии. При использовании кристалла Co2+:MgAl2O4 в качестве пассивного затвора максимальная средняя выходная мощность составила 315 мВт на длине волны 1522 нм c длительностью импульсов 5 нс и энергией 5,25 мкДж при частоте ...
      2013-02-14
    • Кристалл Er3+,Yb3+:YGdSiO5 для лазеров спектрального диапазона 1,5–1,6 мкм 

      Горбаченя, К. Н.; Ясюкевич, А. С.; Кисель, В. Э.; Толстик, Н. А.; Тараченко, А. А.; Гоман, В. И.; Павловский, Л. К.; Орлович, В. А.; Волкова, Е. А.; Япаскурт, В. О.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2022)
      Твердотельные эрбиевые лазеры, излучающие в спектральной области 1,5–1,6 мкм, представляют большой интерес для различных практических применений. Из доступных на сегодня лазерных материалов для получения стимулированного излучения в области 1,5 мкм наибольшее распространение получили фосфатные стёкла, легированные ионами Er3+. Однако максимальные выходные мощности таких лазеров ...
      2022-04-04