Show simple item record

dc.contributor.authorГречихин, Л. И.ru
dc.contributor.authorЛатушкина, С. Д.ru
dc.contributor.authorКомаровская, В. М.ru
dc.contributor.authorШмермбекк, Ю.ru
dc.coverage.spatialМоскваru
dc.date.accessioned2019-10-24T13:28:28Z
dc.date.available2019-10-24T13:28:28Z
dc.date.issued2015
dc.identifier.citationКластерная структура кремния и конструкция его поверхности / Л. И. Гречихин [и др.] // Упрочняющие технологии и покрытия. – Москва : Машиностроение, 2015. – № 9. – С. 5-10.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/58254
dc.description.abstractРазработана общая модель формирования молекулярных и кластерных структур с учетом ковалентной, ионной, наведенной, электрон-дипольной и диполь-дипольной связи. В конденсированном состоянии кластеры кремния формируются трехатомными молекулами. Межкластерная связь определяется бинарным взаимодействием сцепленных кластерных структур. Теоретически и экспериментально обоснована конструкция кристаллического кремния.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМашиностроениеru
dc.titleКластерная структура кремния и конструкция его поверхностиru
dc.typeArticleru
local.description.annotationOne has developed a general model offormation o f molecular and cluster structures taking into account covalent, ionic, electron-dipole and dipole-dipole bond. In the condensed state silicon clusters are formed by three-atomic molecules. The inter-cluster bond is defined by binary interaction of coupled cluster structures. The construction o f crystalline silicon has been substantiated theoretically and experimentally.ru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record