Исследование коробления полупроводниковых пластин кремния методом оптической топографии
Date
2018Another Title
The study of warpage of semiconductor silicon wafers by the makyoh topography
Bibliographic entry
Сенько, С. Ф. Исследование коробления полупроводниковых пластин кремния методом оптической топографии = The study of warpage of semiconductor silicon wafers by the makyoh topography / С. Ф. Сенько // Современные методы и технологии создания и обработки материалов : материалы XIII Международной научно-технической конференции, 12-14 сентября 2018 г. [Электронный ресурс]. – Минск : [б. и.], 2018.
Abstract
Цель настоящей работы заключалась в оценке фактического распределения остаточных напряжений по площади полупроводниковой пластины на основе вновь разработанных методов контроля. Установлено, что на начальных этапах формирования полупроводниковой структуры фактическая форма ее изгиба зависит преимущественно от кристаллографической ориентации пластин кремния. Совокупность линий перегиба для пластин ориентации (111) представляет собой шестилепестковую розетку, а для пластин ориентации (001) – четырехлепестковую. Дальнейшее формирование функциональных слоев требуемой топологии приводит к перераспределению остаточных напряжений, а влияние ориентации подложки при этом уменьшается.
Abstract in another language
The purpose of this paper has been estimated of the actual distribution of residual stresses over the area of the semiconductor wafer on the basis of newly developed control methods. It is established that at the initial stages of formation of the semiconductor structure the actual form of its bending depends mainly on the crystallographic orientation of the silicon plates. The set of inflection lines for the orientation plates (111) is a six-lobe outlet and
for orientation plates (001) – a four-lobe outlet. Formation of functional layers of the required topology leads to the redistribution of residual stresses. The effect of the orientation of the substrate decreases in this case.