Цель настоящей работы заключалась в оценке фактического распределения остаточных напряжений по площади полупроводниковой пластины на основе вновь разработанных методов контроля. Установлено, что на начальных этапах формирования полупроводниковой структуры фактическая форма ее изгиба зависит преимущественно от кристаллографической ориентации пластин кремния. Совокупность линий ...