Browsing Новые направления развития приборостроения by Author "Шадурская, Л. И."

Now showing items 1-20 of 31

    • Анализ процессов в диодных структурах при механических и температурных воздействиях применительно к созданию датчиков давления и температуры 

      Василевич, Т. А.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2015)
      Василевич, Т. А. Анализ процессов в диодных структурах при механических и температурных воздействиях применительно к созданию датчиков давления и температуры / Т. А. Василевич, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 24.
      2022-08-24

    • Бесконтактное измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах 

      Тиханович, Н. Э.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2012)
      Тиханович, Н. Э. Бесконтактное измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах / Н. Э. Тиханович, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 49.
      2022-09-22

    • Влияние плотности мощности лазерного излучения на удельное сопротивление эпитаксиальных структур кремния 

      Боярщонок, Е. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2018)
      Боярщонок, Е. В. Влияние плотности мощности лазерного излучения на удельное сопротивление эпитаксиальных структур кремния / Е. В. Боярщонок, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 16.
      2018-08-04

    • Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников и p–n переходов 

      Гамезо, А. А.; Ананьева, И. Р.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2016)
      Гамезо, А. А. Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников и p–n переходов / А. А. Гамезо, И. Р. Ананьева, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: ...
      2016-09-12

    • Газоразрядная технология создания парогазовых смесей для легирования эпитаксиальных слоев кремния 

      Боярщонок, Е. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2017)
      Боярщонок, Е. В. Газоразрядная технология создания парогазовых смесей для легирования эпитаксиальных слоев кремния / Е. В. Боярщонок // Новые направления развития приборостроения : материалы 10-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 26−28 апреля 2017 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев ...
      2017-06-19

    • Дефекты эпитаксиальных структур кремния, связанные с условием проведения процесса газофазной эпитаксии 

      Фолынсков, Д. И.; Тихоновец, Е. С.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2019)
      Фолынсков, Д. И. Дефекты эпитаксиальных структур кремния, связанные с условием проведения процесса газофазной эпитаксии / Д. И. Фолынсков, Е. С. Тихоновец, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; ...
      2019-08-26

    • Зависимость дефектности эпитаксиального слоя от способа его легирования 

      Климко, В. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2020)
      Климко, В. В. Зависимость дефектности эпитаксиального слоя от способа его легирования / В. В. Климко, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 13-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 15−17 апреля 2020 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск ...
      2020-06-24

    • Зависимость уровня легирования эпитаксиальных структур кремния от параметров тлеющего разряда 

      Боярщонок, Е. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2018)
      Боярщонок, Е. В. Зависимость уровня легирования эпитаксиальных структур кремния от параметров тлеющего разряда / Е. В. Боярщонок, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 15.
      2018-08-04

    • Измерительная система для определения времени жизни носителей заряда 

      Селянтьев, В. А.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2009)
      Селянтьев, В. А. Измерительная система для определения времени жизни носителей заряда / В. А. Селянтьев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 87.
      2022-10-26

    • Инжекционный фотодиод с N-образным участком вольтамперной характеристики 

      Тимохова, Т. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2013)
      Тимохова, Т. В. Инжекционный фотодиод с N-образным участком вольтамперной характеристики / Т. В. Тимохова, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 6-й Международной студенческой научно-технической конференции, 24-26 апреля 2013 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 61.
      2022-10-24

    • Исследование параметров фоторезистора на основе полупроводников с многозарядными примесями с помощью схемы деления напряжения 

      Красовская, А. А.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2010)
      Красовская, А. А. Исследование параметров фоторезистора на основе полупроводников с многозарядными примесями с помощью схемы деления напряжения / А. А. Красовская, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 3-й Международной студенческой научно-технической конференции, 21-23 апреля 2010 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: ...
      2018-01-03

    • Комбинированные магнитооптические сенсоры на основе транзисторных структур 

      Найден, В. В.; Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2023)
      Найден, В. В. Комбинированные магнитооптические сенсоры на основе транзисторных структур / В. В. Найден, О. К. Гусев, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 16-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 19-21 апреля 2023 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. ...
      2023-05-12

    • Кремниевые фотодиоды с областью пространственного заряда, легированной цинком 

      Лапицкая, В. А.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2013)
      Лапицкая, В. А. Кремниевые фотодиоды с областью пространственного заряда, легированной цинком / В. А. Лапицкая, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 6-й Международной студенческой научно-технической конференции, 24-26 апреля 2013 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 32.
      2022-10-24

    • Магнитный контроль рельсов и рельсовых соединений 

      Скрипка, И. Н.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2021)
      Скрипка, И. Н. Магнитный контроль рельсов и рельсовых соединений / И. Н. Скрипка, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 14-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 14–16 апреля 2021 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 58-59.
      2021-05-13

    • Метод контроля дефектов в эпитаксиальных структурах кремния 

      Тихоновец, Е. С.; Фолынсков, Д. И.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2019)
      Тихоновец, Е. С. Метод контроля дефектов в эпитаксиальных структурах кремния / Е. С. Тихоновец, Д. И. Фолынсков, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и ...
      2019-08-21

    • Моделирование пространственного распределения неравновесных носителей заряда в полупроводниках с учетом оптической перезарядки глубоких примесей дефектов 

      Шунькина, Д. А.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2015)
      Шунькина, Д. А. Моделирование пространственного распределения неравновесных носителей заряда в полупроводниках с учетом оптической перезарядки глубоких примесей дефектов / Д. А. Шунькина, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : ...
      2022-08-24

    • Нелинейные искажения в цепях с фоторезисторами 

      Красовская, А. А.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2011)
      Красовская, А. А. Нелинейные искажения в цепях с фоторезисторами / А. А. Красовская, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 4-й Международной студенческой научно-технической конференции, 20-22 апреля 2011 г. : конференция посвящается 90-летию Белорусского национального технического университета (БПИ - БГПА - БНТУ) / Белорусский национальный ...
      2021-03-10

    • Особенности длинных диодов из полупроводников с глубокими многозарядными примесями 

      Буйневич, М. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2016)
      Буйневич, М. В. Особенности длинных диодов из полупроводников с глубокими многозарядными примесями / М. В. Буйневич, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев ...
      2016-09-12

    • Особенности использования мостовой схемы измерения параметров фоторезисторов на основе полупроводников с многозарядными примесями 

      Пузына, Г. С.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2010)
      Пузына, Г. С. Особенности использования мостовой схемы измерения параметров фоторезисторов на основе полупроводников с многозарядными примесями / Г. С. Пузына, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 3-й Международной студенческой научно-технической конференции, 21-23 апреля 2010 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: ...
      2018-01-04

    • Портативный электронным модуль для непрерывной регистрации и анализа электромиографических сигналов человека 

      Сарана, А. С.; Исаев, А. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2009)
      Сарана, А. С. Портативный электронным модуль для непрерывной регистрации и анализа электромиографических сигналов человека / А. С. Сарана, А. В. Исаев, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 95.
      2022-10-26