Browsing 2019 by Author "Поклонский, Н. А."

Now showing items 1-3 of 3

    • Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс 

      Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)
      Транзисторные структуры являются базовыми элементами интегральной схемотехники и часто используются для создания не только собственно транзисторов, но и диодов, резисторов, конденсаторов. Определение механизма возникновения импеданса индуктивного типа в полупроводниковых структурах является актуальной задачей, решение которой создаст предпосылки к разработке твердотельных аналогов ...
      2020-01-08

    • Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии 

      Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. (БНТУ, 2019)
      Контроль параметров готовых транзисторов и межоперационный контроль при их изготовлении являются необходимыми условия выпуска конкурентоспособных изделий электронной промышленности. Традиционно для контроля биполярных транзисторов используются измерения на постоянном токе и регистрация вольт-фарадных характеристик. Проведение измерений на переменном токе позволит получить ...
      2019-09-16

    • Модель автоэлектронной эмиссии из торца плоского графена в вакуум 

      Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Вырко, С. А.; Раткевич, С. В.; Власов, А. Т. (БНТУ, 2019)
      Наноструктуры на основе графеновых лент являются перспективными материалами для использования в качестве эмиттеров электронов. Цель работы – исследовать автоэлектронную эмиссию электронов из торца одиночной графеновой плоскости. В квазиклассическом приближении разработана модель автоэлектронной эмиссии из торца прямоугольного графенового листа. Рассчитана плотность тока автоэлектронной ...
      2019-03-18