Маломощный газовый сенсор на наноструктурированной диэлектрической мембране
| dc.contributor.author | Белогуров, Е. А. | ru |
| dc.contributor.author | Хатько, В. В. | ru |
| dc.contributor.author | Горох, Г. Г. | ru |
| dc.contributor.author | Захлебаева, А. И. | ru |
| dc.contributor.author | Реутская, О. Г. | ru |
| dc.contributor.author | Таратын, И. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Москва | ru |
| dc.date.accessioned | 2018-06-29T10:46:58Z | |
| dc.date.available | 2018-06-29T10:46:58Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.identifier.citation | Маломощный газовый сенсор на наноструктурированной диэлектрической мембране / Е. А. Белогуров [и др.] // Нано- и микросистемная техника. - 2015. - № 6. - С. 34-39. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/43156 | |
| dc.description.abstract | Представлены технология изготовления газового сенсора с наноструктурированной двухслойной диэлектрической мембраной на кремнии и характеристики изготовленного сенсора. Выбор корректной математической модели обеспечивает хорошее совпадение расчетных вольт-амперных характеристик сенсора с экспериментальными и позволяет оценить влияние пористости диэлектрической мембраны на изменение потребляемой мощности сенсора, температуры его чувствительного слоя и возникающих здесь термомеханических напряжений. Показано, что диапазон температур нагрева чувствительного слоя сенсора 150...350 °С, в котором регистрируется сенсорный отклик к 1 ррm СО, обеспечивается при потребляемой мощности сенсора от 5,0 до 15,5 мВт. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Новые технологии | ru |
| dc.title | Маломощный газовый сенсор на наноструктурированной диэлектрической мембране | ru |
| dc.type | Article | ru |
