| dc.contributor.author | Горбаченя, К. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Кисель, В. Э. | ru |
| dc.contributor.author | Ясюкевич, А. С. | ru |
| dc.contributor.author | Кулешов, Н. В. | ru |
| dc.contributor.author | Мальцев, В. В. | ru |
| dc.contributor.author | Леонюк, Н. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2013-02-14T09:43:14Z | |
| dc.date.available | 2013-02-14T09:43:14Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.citation | Высокочастотный Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой / Горбаченя К. Н., Кисель В. Э., Ясюкевич А. С., Кулешов Н. В., Мальцев В. В., Леонюк Н. И. // Приборы и методы измерений: научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal / гл. ред. Гусев О. К. ; кол. авт. Министерство образования Республики Беларусь ; кол. авт. Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2012. – №2 (5). – С. 79 - 82. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/4185 | |
| dc.description.abstract | Представлены генерационные характеристики микрочип-лазера на кристалле Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 в режиме пассивной модуляции добротности для применения в дальнометрии. При использовании кристалла Co2+:MgAl2O4 в качестве пассивного затвора максимальная средняя выходная мощность составила 315 мВт на длине волны 1522 нм c
длительностью импульсов 5 нс и энергией 5,25 мкДж при частоте следования 60 кГц. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Высокочастотный Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.identifier.udc | 621.3.038.825.2 | ru |
| dc.relation.journal | Приборы и методы измерений : научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal | ru |
