Now showing items 1-3 of 3

    • Анализ тепловых параметров линейных стабилизаторов напряжения 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Грибович, В. В.; Цивако, А. А. (БНТУ, 2019)
      Анализ тепловых параметров линейных стабилизаторов напряжения / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 264-266.
      2020-01-03
    • Исследование тепловых параметров составных транзисторов КТД8307 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Грибович, В. В.; Цивако, А. А. (БНТУ, 2019)
      Исследование тепловых параметров составных транзисторов КТД8307 / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 268-270.
      2020-01-03
    • Мемристорная структура на основе нестехиометрического нитрида кремния 

      Комаров, Ф. Ф.; Романов, И. А.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Моховиков, М. А.; Цивако, А. А.; Ковальчук, Н. С. (БНТУ, 2021)
      Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiNx/Si. Концентрация избыточных атомов кремния в пленке SiNx, толщиной ~200 нм, увеличивалась от 16 до 77 % по мере продвижения вглубь образца. Обсуждаются эффект переключения сопротивления и механизмы проводимости в состояниях с высоким и низким сопротивлением. Для данной структуры ...
      2022-02-02