Browsing 2017 by Author "Жарин, А. Л."
Now showing items 1-3 of 3
-
Анализ дефектов поверхности исходных подложек алюминия и его сплавов методом сканирующего зонда Кельвина
Тявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Мухуров, Н. И.; Шаронов, Г. В.; Пантелеев, К. В. (БНТУ, 2017)В настоящее время использование методов зондовой электрометрии в неразрушающем контроле сдерживается сложностью интерпретации результатов измерений, что связано с многофакторностью измерительного сигнала, зависящего от большого количества параметров физико-химического состояния поверхности: отклонений химического состава, механических напряжений, дислокаций, кристаллографической ...2017-03-02 -
Анализ распределения электрофизических и фотоэлектрических свойств нанокомпозитных полимеров модифицированным зондом Кельвина
Пантелеев, К. В.; Кравцевич, А. В.; Ровба, И. А.; Лысенок, В. И.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л. (БНТУ, 2017)В настоящее время для анализа однородности свойств материалов широкое распространение получают различные модификации сканирующего зонда Кельвина, позволяющие картировать пространственное распределение электростатического потенциала поверхности. В случае диэлектриков анализ однородности электропотенциального профиля не является достаточным для описания каких-либо конкретных ...2017-12-15 -
Характеризация электрофизических свойств границы раздела кремний-двуокись кремния с использованием методов зондовой электрометрии
Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Филипеня, В. А.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2017)Анализ микронеоднородностей в системе кремний-двуокись кремния становится наиболее актуальным в связи с переходом микроэлектронной промышленности к субмикронным проектным нормам и уменьшением толщины подзатворного диэлектрика. Целью исследования являлось развитие методов неразрушающего контроля полупроводниковых пластин на основе определения электрофизических свойств границы ...2017-12-15