dc.contributor.author | Корытко, Н. Н. | ru |
dc.contributor.author | Залесский, В. Б. | ru |
dc.contributor.author | Малышев, В. С. | ru |
dc.contributor.author | Хатько, В. В. | ru |
dc.coverage.spatial | Минск | ru |
dc.date | 2011 | ru |
dc.date.accessioned | 2012-03-26T09:46:48Z | |
dc.date.available | 2012-03-26T09:46:48Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.identifier.citation | Корытко, Н. Н. Моделирование конструкции лавинных фотодиодов с охранными областями для регистрации маломощных световых потоков / Н. Н. Корытко, В. Б. Залесский, В. С. Малышев, В. В. Хатько // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal / гл. ред. Романюк Ф.А. ; кол. авт. Министерство образования Республики Беларусь ; кол. авт. Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2011. – №1(2). – С.32–39. | ru |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/1870 | |
dc.description.abstract | Проведено моделирование конструкции охранной области и величины напряжения пробоя лавинного фотодиода со структурой диода Рида. Показано влияние полевой
обкладки с системой охранных колец на область пробоя n+-p перехода и предложен
метод ее реализации. Установлен требуемый профиль примеси в эпитаксиальной пленке
при концентрации примеси в подложке ~2,5·1014 см-3, определены пробивные напряжения диода с охранными кольцами, распределение в нем электрического поля и области пробоя. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БНТУ | ru |
dc.title | Моделирование конструкции лавинных фотодиодов с охранными областями для регистрации маломощных световых потоков | ru |
dc.type | Article | ru |
dc.identifier.udc | 621.382.001.63 | ru |
dc.relation.journal | Приборы и методы измерений : научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal. - 2011. - №1(2). – С.32–39. | ru |