| dc.contributor.author | Бобученко, Д. С. | ru |
| dc.contributor.author | Доманевский, Д. С. | ru |
| dc.contributor.author | Хорунжий, И. А. | ru |
| dc.contributor.author | Трофимов, Ю. В. | ru |
| dc.contributor.author | Цвирко, В. И. | ru |
| dc.contributor.author | Каканаков, Р. Д. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date | 2010 | ru |
| dc.date.accessioned | 2012-03-23T12:46:24Z | |
| dc.date.available | 2012-03-23T12:46:24Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.citation | Бобученко, Д. С. Спектральное распределение спонтанной электролюминесценции зеленых светоизлучающих диодов / Д. С. Бобученко, Д. С. Доманевский, И. А. Хорунжий, Ю. В. Трофимов, В. И. Цвирко, Р. Д. Каканаков // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal / гл. ред. Романюк Ф.А. ; кол. авт. Министерство образования Республики Беларусь ; кол. авт. Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2010. – №1. – С.107–112. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/1857 | |
| dc.description.abstract | Изучены метрологические возможности специализированного измерительного
комплекса, с помощью которого получены спектры электролюминесценции (ЭЛ)
светоизлучающих диодов (СИД). Проведен анализ и исследованы формы спектров ЭЛ
СИД с одиночной квантовой ямой на основе модели учитывающей проникновение в
двухмерный активный слой InGaN электрического поля от прилегающих к нему
барьерных слоев GaN и AlGaN. С помощью данной модели получены значения
эффективной ширины запрещенной зоны, уровня Ферми, параметра экспоненциального хвоста плотности состояния. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Спектральное распределение спонтанной электролюминесценции зеленых светоизлучающих диодов | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.identifier.udc | 621.382:621.373.820 | ru |
| dc.relation.journal | Приборы и методы измерений : научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal. - 2010. - №1. – С.107–112. | ru |
