Моделирование процессов амбиполярной диффузии с учетом инжекционной перезарядки глубоких примесей
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Modeling of ambipolar diffusion processes taking into account injection recharge of deep impurities
Abstract
Проведено моделирование коэффициента амбиполярной диффузии с учетом инжекционной перезарядки глубоких центров, а также рассчитаны диффузионные длины электронов и дырок при произвольной концентрации дефектов и уровне возбуждения.
item.page.description-other
The ambipolar diffusion coefficient is modeled taking into account the injection recharge of deep centers, and the diffusion lengths of electrons and holes are calculated at an arbitrary defect concentration and excitation level.
Description
Citation
Моделирование процессов амбиполярной диффузии с учетом инжекционной перезарядки глубоких примесей = Modeling of ambipolar diffusion processes taking into account injection recharge of deep impurities / Я. А. Колядко, Л. И. Шадурская, О. К. Гусев, [и др.] // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 336-337.