Комплект аналоговых микросхем для обработки сигналов высокоимпедансных датчиков
Another Title
Set of analog microcircuits for processing signal from high impedance sensors
Bibliographic entry
Дворников, О. В. Комплект аналоговых микросхем для обработки сигналов высокоимпедансных датчиков = Set of analog microcircuits for processing signal from high impedance sensors / О. В. Дворников, В. А. Чеховский // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 33-34.
Abstract
Для проектирования аналоговых интерфейсов датчиков с высоким внутренним импедансом разработан комплект микросхем, содержащий три варианта операционных усилителей (ОУ) и два варианта зарядочувствительных усилителей (ЗЧУ). Конструктивными особенностями микросхем являются: формирование устройств на специализированном базовом кристалле (БК) с реализацией требуемых функций и параметров за счет применения разных комплектов фотошаблонов для изготовления межсоединений элементов БК, применение входного полевого транзистора, управляемого p-n-переходом, уменьшение напряжения смещения нуля и входного тока ОУ с помощью подстройки сопротивлений резисторов. Приведены результаты моделирования статических и динамических параметров ОУ и ЗЧУ, а также зависимости дли- тельности фронта нарастания и уровня шумов ЗЧУ от емкости датчика, соединенного со входом.
Abstract in another language
A set of microcircuits containing three variants of operational amplifiers (OpAmp) and two variants of charge-sensitive amplifiers (CSA) has been developed for designing analog interfaces of sensors with high internal impedance.The design features of the microcircuits are: formation of devices on a specialized master chip (MC) with implementation of the required functions and parameters due to the use of different sets of photomasks for manufacturing interconnections of MC elements, use of an input JFET, reduction of the offset voltage and input current of the OpAmp by adjusting the resistors. The results of simulation the static and dynamic parameters of the OpAmp and CSA, as well as the dependences of the duration of the rising edge and the noise level of the CSA on the capacitance of the sensor connected to the input are presented.