Моделирование методом Монте-Карло растекания линий тока в элементах флеш-памяти
Another Title
Monte Carlo simulation of current lines spreading in flash memory cells
Bibliographic entry
Жевняк, О. Г. Моделирование методом Монте-Карло растекания линий тока в элементах флеш-памяти = Monte Carlo simulation of current lines spreading in flash memory cells / О. Г. Жевняк // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 314-315.
Abstract
Методом Монте-Карло проведено моделирование процесса паразитного туннелирования электронов в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором. Рассчитаны зависимости величины паразитного туннельного тока от координаты вдоль проводящего канала транзисторов с мелким и глубоким стоком. Показано, что в транзисторах с глубоким стоком происходит подавление паразитного туннелирования за счет процесса растекания линий тока в глубь подложки.
Abstract in another language
The parasitic electron tunneling in silicon flash memory elements based on MOSFETs with floating gates is simulated by Monte Carlo method. The dependencies of value of parasitic tunnel current along the transistor’s channel with shallow and deep drains are calculated. It is shown that in transistors with deep drain the parasitic electron tunneling is suppressed by effect of drift current lines spreading into substrate.