Ионное травление фенолформальдегидных фоторезистов для обратной литографии
Another Title
Ion etching of phenol-formaldehyde photoresists for lift-off lithography
Bibliographic entry
Ионное травление фенолформальдегидных фоторезистов для обратной литографии = Ion etching of phenol-formaldehyde photoresists for lift-off lithography / С. А. Абрамов [и др.] // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 222-223.
Abstract
Методами отражательно-абсорбционной ИК-Фурье-спектроскопии, рентгеноспектрального микроанализа и индентирования исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) KMP E3502, AZ nLOF 2020, 2070 и 5510 толщиной 0,9–6,0 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Ионное травление приводило к увеличению микротвердости структур ФР/кремний, обусловленному сшиванием молекул фоторезиста. Существенной трансформации отражательно-абсорбционных спектров не наблюдалось. Имело место только смещение максимума первой интерференционной полосы в высокоэнергетическую область, обусловленное уменьшением толщины пленки. Экспериментальные данные объяснены с учетом сшивания молекул и конформационных изменений в структуре основного компонента ФР при ионном травлении; ориентацией молекул вблизи границы раздела ФР/Si и наличием в пленках остаточного растворителя.
Abstract in another language
Films of negative photoresists (РR) KMP E3502, AZ nLOF 2020, 2070 and 5510 with a thickness of 0,9– 6,0 microns deposited on the surface of silicon wafers by centrifugation have been studied using IR-Fourier spectroscopy of diffuse reflection, X-ray spectral microanalysis and indentation. Ion etching led to an increase in the microhardness of photoresist/silicon structures due to crosslinking of photoresist molecules. No significant transformation of the diffuse reflection spectra was observed. There was only a shift of the maximum of the first interference band to the high-energy region due to a decrease in the film thickness. The experimental data are explained by taking into account the crosslinking of molecules and conformational changes in the structure of the main component of РR during ion etching; the orientation of molecules near the РR/Si interface and the presence of residual solvent in the films.