Вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов с геттерами, созданными ионной имплантацией сурьмы
Another Title
Voltage-current characteristics of p-i-n photodiodes with getters created by ion implantation of antimony
Abstract
Исследованы вольтамперные характеристики p-i-n-фотодиодов, содержащих геттеры, сфомированные имплантацией ионов сурьмы, на обратной стороне кремниевой пластины. Параллельно исследовались контрольные образцы, прошедшие все этапы технологического процесса изготовления приборов за исключением имплантации примесей в непланарную сторону пластины. Показано, что после формирования геттера электрофизические параметры приборов существенно зависят как от вида внедренных ионов, так и режимов последующих преципитирующего и диффузионного отжигов. Наличие на вольтамперных характеристиках p-i-n-фотодиодов, содержащих геттерирующие центры, созданные имплантацией ионов сурьмы, ступенчатых участков свидетельствует о термической генерации носителей заряда с глубоких энергетических уровней неоднородно распределенных структурных дефектов и технологических примесей в области пространственного заряда p-i-n-фотодиодов.
Abstract in another language
As a result of the research work the experimental setup for light induced damage threshold (LIDT) measurements was developed for LIDT determination of antireflection and reflection coatings. LIDT values were determined for metallic reflection and dielectric antireflection coatings of ophthalmological lenses for λ1 = 532 nm and λ2 = 1064 nm wavelength laser pulses with pulse durations from 0.1 to 10 ns.